Qualcomm annonce le lancement du Snapdragon 8 Gen 4 en octobre, promettant des performances sans précédent et une avance sur l’Apple A18, visant à équiper les futurs Galaxy S25.
Qualcomm prévoit de dévoiler le Snapdragon 8 Gen 4 lors du Snapdragon Summit en octobre cette année, un processeur qui pourrait équiper les smartphones de la série Galaxy S25. Selon plusieurs rapports, ce SoC représenterait un bond significatif en termes de performances par rapport à son prédécesseur, le Snapdragon 8 Gen 3, actuellement dans le Galaxy S24 Ultra.
Qualcomm apporte une révolution avec le Snapdragon 8 Gen 4
Des fuites antérieures révélaient déjà que le Snapdragon 8 Gen 4 pourrait atteindre un score de 2 800 points en monocœur sur Geekbench, surpassant largement le score de 2 100 points du Snapdragon 8 Gen 3. Mais les nouvelles informations disponibles suggèrent des avancées encore plus impressionnantes.
Une fuite récente en provenance de Chine indique que le Snapdragon 8 Gen 4 pourrait réaliser un score de 3 500 points en monocœur. Si ces données se confirment, elles marqueraient une avancée remarquable. En comparaison, le chipset Apple A18, qui devrait équiper les modèles iPhone 16 Pro, atteindrait 3 300 points dans le même test. Cette fuite affirme également que les performances multicœurs et GPU du Snapdragon 8 Gen 4 dépasseraient celles de l’Apple A18.
Cela signifie que la puce dominerait totalement l’Apple A18, permettant ainsi à la série Galaxy S25 de surpasser la gamme iPhone 16 Pro. Si cette fuite se vérifie, ce sera la première fois qu’un smartphone Samsung batte un iPhone en termes de performance monocœur. Ce qui serait révolutionnaire.
La plus haute fréquence d’horloge CPU de l’industrie
Le Snapdragon 8 Gen 4 intégrera des cœurs Oryon en tant que cœurs principaux et des cœurs Pheonix pour les performances élevées. Selon une autre fuite, Qualcomm pourrait pousser la fréquence du cœur Oryon à 4,3 GHz, un chiffre sans précédent dans l’industrie mobile, et celle des cœurs Pheonix à 3,8 GHz.
Le chipset pourrait nécessiter 1,3 V de puissance pour atteindre ces fréquences, ce qui pourrait entraîner divers problèmes, notamment de surchauffe et de limitation thermique. Le processeur serait le premier chipset de Qualcomm à utiliser le processus de fabrication N3E (3 nm).
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